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晶背減薄專家

東嶧電子股份有限公司，成立於2003年，長期專注在半導體的研磨切割的服務與技術研發，目前研磨、背鍍、散熱已有多國專利，以及ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證。

 
東嶧電子股份有限公司，成立於2003年，長期專注在半導體的研磨切割的服務與技術研發，目前研磨、背鍍、散熱已有多國專利，以及ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證。
東嶧(DBG)研磨加工技術，可以將矽晶片，氮化鎵晶片與碳化矽SIC，薄化至2mil (50um)，功率元件MOSFET與蕭特基二極體Schottky diode，目前市場幾乎期待阻抗能降低，然而，將低阻抗的唯一方式就是將晶背減薄化。
本公司除了可以減薄至110/100/80/70/60/50 um外，並避開了傳統TAIKO製程的嚴重翹曲問題與去除外圍太鼓環的工序。
減薄後，大幅度的降低阻抗、散熱提升，讓晶片不再因為熱阻等問題而降低效能。
東嶧並積極的參與第三半導體碳化矽的設計與加工，並朝著提升效率的技術領域持續研究發展。
東嶧減薄背鍍後的產品，亦已切割完成，更便利的運送封裝廠，無運送破裂風險。

專利背鍍技術
矽晶片與碳化矽晶片的背鍍技術(BGBM)，東嶧的專利技術，有著高效率的解決方案。
目前已經擁有自主研發專利技術，針對目前正在快速發展的第三代半導體，有著明顯的效能發揮與科技貢獻。
 
東嶧在中國深圳、新竹，設置了加工實驗室，便利在客戶身邊提技術服務。
客戶可以隨時享受服務，和應用技術工程師一起解決加工問題。
主動邀約各ic設計公司與碳化矽晶圓廠來到實驗室，一起驗證技術的成果，東嶧並秉持追求技術領域的長期研究與突破，提供技術與政府研究單位產學合作交流，追求無止盡的技術提升，服務社會。
 
顧客真正需要的，不是東嶧提供的產品，而是通過該產品所產生的加工成果。因此，我們提供長年積累的相關應用技術，以最佳的加工結果奉獻給顧客。憑藉全方位的切割研磨技術支援，東嶧希望與顧客建立更緊密的合作，與客戶一起討論，一起提升更有效率的技術知識。互相積累技術才是東嶧與客戶共同的目標。