Process
製程

DBG (Dicing Before Grinding) 製程
DBG + BM(背鍍) 製程

可加工晶圓規格 4” 6” 8” 12”
晶背減薄 7 mil 5mil 4mil 3mil 2mil (無翹曲)
專利晶粒二次加工減薄
東嶧背鍍專利  (DBG+BM)
 

Gallium Nitride (GaN) Chip Thinning
氮化鎵晶片薄化

本公司成功的將氮化鎵晶片減薄至75/50um,
經檢測後 ,具有更好的導熱性、散熱效果更快，
並非常有效的降低導通 RDS(on)(mΩ)成功地大幅改善了電晶體特性。

近幾年市場上熱門的新興半導體材料「氮化鎵」，因具有高穩定度與高轉換率的特性，
能夠大幅提升充電效能，而充電器體積更小、重量更輕等性能上的優勢，
各大廠牌紛紛推出應用氮化鎵技術的電子產品。

氮化鎵應用範圍極廣，過去主要應用在軍事、衛星設備，
如今隨著市場對高功率半導體的需求大增，
現在也應用在光電領域、電子領域，5G通訊產業上，包括手機、 5G 基地台、自動駕駛車、無線充電、VR虛擬實境眼鏡、機器人、衛星、雷達、電視通訊等，
其中氮化鎵更是大量的使用在PD充電器上面。
本公司成功的將氮化鎵晶片減薄至75/50um,
經檢測後 ,具有更好的導熱性、散熱效果更快，
並非常有效的降低導通 RDS(on)(mΩ)成功地大幅改善了電晶體特性。 目前正積極與廠商研擬策略聯盟,積極擴佔市場版圖.


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