晶背減薄專家

晶背減薄 (專利)
晶片背鍍 (專利)
晶片散熱方案(專利)

東嶧(DBG)研磨加工技術,可以將矽晶片/氮化鎵/碳化矽,薄化至2mil (50um),功率元件MOSFET與蕭特基二極體Schottky diode,目前市場幾乎期待阻抗能降低,然而,將低阻抗的唯一方式就是將晶背減薄化。
除了可以減薄至110/100/80/70/60/50 um外,並避開了傳統TAIKO製程的嚴重翹曲問題與去除外圍太鼓環的工序。
 
減薄後,大幅度的降低阻抗、散熱提升,讓晶片不再因為熱阻等問題而降低效能。
東嶧減薄背鍍後的產品,亦已切割完成,更便利的運送封裝廠,無運送破裂風險。

多國專利
ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證

東嶧電子長期專注在半導體的研磨切割的服務與技術研發,目前研磨、背鍍、散熱已有多國專利,以及ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證。

晶背減薄 (專利)
晶片背鍍 (專利)
晶片散熱方案(專利)

東嶧(DBG)研磨加工技術,可以將矽晶片/氮化鎵/碳化矽,薄化至2mil (50um),功率元件MOSFET與蕭特基二極體Schottky diode,目前市場幾乎期待阻抗能降低,然而,將低阻抗的唯一方式就是將晶背減薄化。
除了可以減薄至110/100/80/70/60/50 um外,並避開了傳統TAIKO製程的嚴重翹曲問題與去除外圍太鼓環的工序。
 
減薄後,大幅度的降低阻抗、散熱提升,讓晶片不再因為熱阻等問題而降低效能。
東嶧減薄背鍍後的產品,亦已切割完成,更便利的運送封裝廠,無運送破裂風險。
 

多國專利
ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證

東嶧電子長期專注在半導體的研磨切割的服務與技術研發,目前研磨、背鍍、散熱已有多國專利,以及ISO 9001、ISO/TS 16949品質認證。

東嶧電子股份有限公司

東嶧在中國深圳、新竹,設置了加工實驗室,便利在客戶身邊提技術服務。
客戶可以隨時享受服務,和應用技術工程師一起解決加工問題。
主動邀約各ic設計公司與碳化矽晶圓廠來到實驗室,一起驗證技術的成果,東嶧並秉持追求技術領域的長期研究與突破,提供技術與政府研究單位產學合作交流,追求無止盡的技術提升,服務社會。

東嶧電子股份有限公司

東嶧在中國深圳、新竹,設置了加工實驗室,便利在客戶身邊提技術服務。
客戶可以隨時享受服務,和應用技術工程師一起解決加工問題。
主動邀約各ic設計公司與碳化矽晶圓廠來到實驗室,一起驗證技術的成果,東嶧並秉持追求技術領域的長期研究與突破,提供技術與政府研究單位產學合作交流,追求無止盡的技術提升,服務社會。
 
顧客真正需要的,不是東嶧提供的產品,而是通過該產品所產生的加工成果。因此,我們提供長年積累的相關應用技術,以最佳的加工結果奉獻給顧客。憑藉全方位的切割研磨技術支援,東嶧希望與顧客建立更緊密的合作,與客戶一起討論,一起提升更有效率的技術知識。互相積累技術才是東嶧與客戶共同的目標。